碳化硅晶圆迈入 12 英寸时代，除了功率半导体还有这些新用途！

用于功率半导体等的碳化硅（SiC）晶圆正进入12英寸（300mm）时代。在东京国际展示会「第40届NEPCON Japan」（2026年1月21～23日）上，多家中国制造商通过日本代理商展出了12英寸SiC晶圆。

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JSG 携 N 型 / 光学用 SiC 亮相，高热导拓 AI 应用

    图1 马拉姆商会展位展出的JSG 12英寸SIC晶圆（左后方和右）。左后方为N型，右侧为光学级

    JSG展示了两种SiC晶圆：一种呈现薄绿色，主要用于电子导电的"N型"；另一种为透明的"光学用"12英寸晶圆。代理店マルエム商会（名古屋市）表示"目前每片售价数百万日元"。N型除用于功率半导体外，还可能用于利用其高热导率的Al（人工智能）半导体散热基板等领域。

    SiC的热导率因晶型和纯度而异，高端产品可达400～500W/(m·K)，远超蓝宝石基板，陶瓷材料中位列第一（图2）。其热导率接近甚至超过金属中热导率最高的银（Ag）。

    图2 马拉姆商会展位展出的JSG 8英寸碳化硅锭。将其切片后研磨成晶圆

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半绝缘 SiC 扩应用，12 英寸晶圆企业亮相

AR眼镜的导光板和中间隔板也是如此

    另一方面、不镀层的半绝缘型透明光学材料，也被设想用于AR（扩增现实）眼镜的导光板、Al半导体的中介基板（中间基板）等用途。这些材料的高热传导性也成为了关键特性。

    马拉姆商会表示，"当向日本的SiC半导体制造商出货时，会采用在SiC晶圆上形成更高品质SiC薄膜的外延晶圆形式"。据悉外延晶圆的生产由广东天域半导体负责，但12英寸SiC晶圆尚未进入量产阶段。

    另一家展示12英寸SiC晶圆的企业是山西烁科晶体（SEMISiC）。该公司于2025年1月宣布，其成为全球首家生产12英寸高纯度单晶SiC晶圆的制造商（图3）。

    图3 西日本贸易展位上展出的SEMISiC 12英寸SiC晶圆。半绝缘型（左）、N型（右）

两类 SiC 晶圆展出，西日本贸易添展多类晶圆

    山西烁科晶体也同时展示了N型和透明半绝缘型产品。代理店西日本贸易（东京·中央）表示："N型目前几乎没有出货案例，但半绝缘型已实现最多1000片的小批量出货"。值得注意的是，西日本贸易除展示SiC晶圆外，还同时展出了金刚石晶圆和氮化铝（AIN）晶圆（图4、图5）。

    图4 西日本贸易展位上展示的中国化合物半导体（厦门）技术公司的钻石晶圆。其热导率高达1000至2200 W/(m·K)，是显著特点。多晶可生产4英寸，单晶可生产1英寸

    图5 在西日本贸易展位展出的中国奥趋光电（Ultratrend Technologles）的氮化铝（AlN）晶圆。据称可生产最大3英寸

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SICC 推 12 英寸 SiC 并联东芝，全球布局加速

东芝系与SICC已达成合作
    除本次参展的厂商外，中国山东天岳先进科技（SICC）已于2024年宣布成为全球首个在市场推出12英寸碳化硅（SiC）晶圆的企业。该公司计划在2025年推出涵盖N型、半绝缘型以及主要以空穴传导的P型的完整产品线。2025年8月，该公司与东芝设备与存储公司就技术协作及业务合作达成初步协议。

【相关文章】

    东芝与中国SICC联手开展SiC晶圆合作  东芝半导体子公司东芝半导体（Toshiba Devices & Storage）于2025年8月22日宣布，将与中国SiC（碳化硅）晶圆龙头企业山东天岳先进科技（SICC）建立合作关系。

    双方将在SiC晶圆的技术开发和采购方面开展协作，致力于提供高品质的...

中外竞逐 12 英寸 SiC：中国多企研发，美企推新平台

    中国方面有报道指出，除了上述企业之外，还有7家左右的制造商正在开发12英寸碳化硅晶圆。

    2025年12月3日，美国Coherent（柯希特）公司宣布推出300毫米碳化硅平台，这意味着主要的碳化硅晶圆制造商已明确公开了12英寸碳化硅晶圆的开发计划。

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12 英寸 SiC 晶圆开启全球竞逐新篇章

    东京 NEPCON Japan 展上，浙江晶盛机电、山西烁科晶体等中国企业，携 N 型、半绝缘型等 12 英寸 SiC 晶圆亮相，其高热导率还拓展出 AI 散热、AR 导光等新用途。

    全球赛道同样火热：山东天岳先进（SICC）率先推出产品并联手动东芝，美国 Coherent 推 300 毫米平台，中国另有 7 家厂商跟进研发。12 英寸 SiC 晶圆的量产与应用突破，正为半导体及下游领域注入新活力。