行业新闻周报 2026.10.16

## 本周半导体行业时事资讯 ##

① 台积电三季度净利创历史新高 上调全年营收增速至约44%

        10月15日，台积电发布2026年第三季度财报并召开法说会。第三季度合并营收1.49万亿新台币（约467.2亿美元），同比增长50.9%；净利润7630.6亿新台币（约235.9亿美元），同比增长68.7%，连续第六个季度创历史新高。受2纳米开始大规模量产、新产线折旧较重影响，毛利率由二季度的67.7%降至66.4%。2nm收入占比单季由3%升至8%，7nm及以下先进制程合计占比79%。公司给出四季度营收指引523亿至543亿美元，超出市场预期约6%，并上调全年美元营收增速指引至约44%。董事长魏哲家表示，AI需求持续升温、供需缺口仍大，"台积电的获利能力没有上限"，公司将全力扩产。

② 2026湾芯展在深圳启幕 千余家企业参展、规模同比增长66%

        10月14日至16日，2026湾区半导体产业生态博览会（湾芯展WESEMiBAY）在深圳会展中心（福田）举行。本届展会规划展览面积近8万平方米，汇聚来自22个国家和地区的1000余家优质参展企业，参展企业数量同比增长66%，并同期举办40余场高规格产业论坛、30余场供需及投融资对接活动，150位顶尖学者、超500位产业领袖出席。展会聚焦晶圆制造装备、零部件、材料、先进封装、IC设计、第三代半导体等重点领域，新凯来、北方华创、中微公司、华海清科、电科装备、拓荆科技、长飞先进、微导纳米等企业与科研机构集中首发新技术、新设备与新生态方案。

③ 华海清科发布中束流离子注入机iHQ-900E 整机国产化率95.6%

        10月14日，在2026湾芯展开幕式暨半导体产业发展峰会上，华海清科（688120.SH）发布中束流离子注入机iHQ-900E。据介绍，这是国产首台在部分关键指标上超越国外竞品的中束流离子注入机，在注入剂量均匀性、角度控制、Dose Rate、束流强度以及WPH等指标上领先于国外同类产品；设备搭载公司自研软件平台，整机国产化率达95.6%，预计2027年实现全部国产化。离子注入机是芯片制造前道三大核心装备之一，长期由海外厂商主导，与光刻机同属国产化率最低的尖端设备品类，中束流机型的突破意味着前道工艺装备自主化再进一步。

④ 微导纳米发布iMagtron系列PVD与钌工艺ALD 实现三大薄膜技术全覆盖

        同日，微导纳米在湾芯展发布全新iMagtron系列磁控溅射系统（PVD）。该系统采用模块化设计，同一平台可覆盖Cu1至C74等不同工艺节点需求，在Ta/TaN等应用上将PK LifeTime优化50%以上。公司同时发布基于iTomic MeT系列原子层沉积系统的钌（Ru）工艺，通过原子级形核调控，在多种衬底上实现小于5纳米的连续Ru薄膜成膜，关键指标达到量产参考水平。钌被视为下一代互连金属的重要候选材料，其成膜工艺是先进制程的关键环节。至此，微导纳米实现ALD、CVD、PVD三大主流薄膜沉积技术路线的全体系覆盖。

⑤ 启云方国内首发EDA系统级电子设计工具链

        在湾芯展开幕式峰会的新品联合发布仪式上，启云方在国内首发EDA系统级电子设计工具链，进一步探索国内工业软件系统化设计路径，填补相关领域实践空白。EDA是半导体产业最上游的设计入口，长期由海外三大厂商主导。本届湾芯展上，从EDA设计软件、晶圆制造设备、材料与零部件，到先进封装、车规级芯片与AI基础设施，产业链各环节国产企业集中亮相，呈现出由单点突围走向成体系补链的产业态势。

⑥ 长飞先进发布高性能SiC MOSFET与嵌入式PCB功率模块 瞄准车规与AI数据中心

        10月15日，长飞先进在深圳举行"巅峰之上·跨越四年的技术长征"技术发布会，面向车规主驱市场正式发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片（含8毫欧产品）及DeepXE嵌入式PCB功率模块，并针对AI数据中心领域发布基于成熟量产芯片PG4E的单管系列及EZ2C/3C特色模块家族。总裁陈重国表示，碳化硅在高压、大电流功率器件场景下性能显著优于硅基器件，成本快速下降正加速对硅基器件的替代，产业核心机遇集中在650V以上场景；"短期看汽车，长期看AI"，在AI领域的固态变压器中，碳化硅器件价值占比接近一半。据机构数据，2025年全球碳化硅功率半导体市场规模27.9亿美元，预计2026年达35亿美元、2034年达215.8亿美元，2026至2034年复合增长率25.52%。

⑦ 国产首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机成功量产交付

        10月15日消息，中电科电子装备集团（电科装备）下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅（SiC）器件晶圆全自动减薄机，近期成功交付国内头部晶圆企业实现量产应用。至此，该公司已形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的成套解决方案。晶圆减薄用于去除晶圆背面多余基体材料以达到封装所需特定厚度，并改善芯片散热效果；由于碳化硅材料硬度高、难磨削，其背面减薄工艺是决定器件热阻、导通损耗与批量良率的重要工序。当前新能源汽车800V高压平台加速普及、光伏储能标准升级、AI算力电源需求集中释放，化合物半导体产业进入规模化扩张关键窗口期。

⑧ 美国管制再升级：扩大AI芯片出口限制 FCC新规下沉至芯片层

        10月14日，美国商务部宣布扩大对先进AI芯片及半导体设备的出口管制。同在10月13日，美国联邦通信委员会（FCC）26-50新规正式生效，规定采用被列入"受管制清单"企业（如华为、中兴通讯等）生产的芯片、无线模块或其他具备逻辑处理能力组件的设备，将无法获得进入美国市场所需的FCC认证。这意味着美国此前针对终端设备的限制进一步下沉至芯片、通信模块等零部件层面，即使终端产品并非由相关企业生产，只要内部使用了其硬件也可能被排除在美国市场之外。分析认为，管制压力正倒逼国内产业链加速自主替代进程。

⑨ 四季度存储合约价全面上修 机构预计HBM明年一季度涨80%至100%

        10月中旬存储渠道调研显示，2026年四季度存储合约价涨幅预期全面上修：DRAM环比涨幅由原先的3%至8%上调至10%至15%，NAND Flash环比涨幅由0%至5%上调至15%至20%，含HBM在内的整体DRAM价格预计环比上涨15%至20%，企业级SSD单季涨幅达23%至28%。KeyBanc资本市场分析师在完成亚洲调研后指出，HBM价格预计2027年一季度环比上涨80%至100%，DRAM今年四季度环比上涨15%至20%，NAND涨幅约20%；同时存储供应商将产能向数据中心大幅倾斜，预计明年PC和智能手机存储供应量因此减少20%至30%。供应锁定方面，惠普、戴尔已将供应协议延长至2031年，谷歌正洽谈覆盖至2035年的长期协议。

⑩ 《集成电路布图设计保护条例》10月15日起正式施行

        据消息，《集成电路布图设计保护条例》于2026年10月15日起正式施行。布图设计（即芯片版图设计）是集成电路产业的核心智力成果，条例的施行进一步完善了我国集成电路领域的知识产权保护制度，与近期国内BAW滤波器等射频前端器件专利侵权案的判决形成呼应，为芯片设计企业的创新成果提供了更有力的法律保障。政策端同期持续发力，四部门已启动2026年度享受增值税加计抵减政策的集成电路企业清单申报工作。

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① https://news.qq.com/rain/a/20261015A0CWT000

② https://wallstreetcn.com/livenews/3177744

③ https://finance.eastmoney.com/a/202610143895850651.html

④ https://fromgeek.com/vc/729335.html

⑤ https://www.doit.com.cn/cxo/859559273496645.html

⑥ https://www.xinhuanet.com/tech/20261016/2d4e2a96e774425389b44353d1c5e037/c.html

⑦ https://www.toutiao.com/article/7697066510447084083

⑧ https://www.toutiao.com/article/7696785196519014963

⑨ https://m.10jqka.com.cn/20261017/c680803151.shtml

⑩ https://www.topnews.cn/news/1451D5E042B04475