## 本周半导体行业时事资讯 ##
① 台积电锁定12英寸碳化硅新战场，布局AI时代散热关键材料
全球半导体产业迈入人工智能（AI）与高效能运算（HPC）驱动的新时代，散热管理正逐渐成为影响芯片设计与制程能否突破的核心瓶颈。当3D堆叠、2.5D整合等先进封装架构持续推升芯片密度与功耗，传统陶瓷基板已难以满足热通量需求。晶圆代工龙头台积电正以一项大胆的材料转向回应这一挑战，那就是全面拥抱12英寸碳化硅（SiC）单晶基板，并逐步退出氮化镓（GaN）业务。
② 消息称三星HBM3E内存通过英伟达认证
韩国半导体业内人士透露，三星第五代12 层高频宽存储器HBM3E 产品终于通过Nvidia 品质认证测试，预计不久后开始供应高阶存储器芯片，并有望打入下一代HBM4 竞争链。
③ 立中集团：硅铝合金和铝碳化硅新材料已成功量产
立中集团于9月19日在互动平台向投资者透露，公司研发的硅铝合金和铝碳化硅新材料已成功量产，并应用于半导体设备的关键零部件制造，如基座、支撑架和静电卡盘。硅铝合金主要适用于超高精度及高速运动的零件制造，铝碳化硅则因其优异的刚度和耐磨性，应用于高强度零件。
④ 地平线计划于2026年发布新一代舱驾一体芯片
据IT之家9月19日报道，国产智能驾驶方案商地平线（Horizon Robotics）计划于2026年发布一款新一代舱驾一体芯片，并争取于2026年实现量产。知情人士透露，这款芯片可能是地平线历史上设计最复杂的一款，副总裁兼首席架构师苏箐及其高阶智能驾驶算法团队参与了该芯片的算力定义与规划。
⑤ 5亿美元，英伟达投向英国自动驾驶初创公司Wayve
英伟达（NVIDIA）近日宣布，将战略投资5亿美元于英国自动驾驶初创公司Wayve，标志着两国在人工智能领域合作的重大深化。
⑥ 联发科推出天玑9500旗舰芯片，目标市占率达40%
联发科于2025年9月22日正式推出其最新的5G旗舰芯片——天玑9500，该芯片以「超强悍、超冷劲」为主要卖点，旨在进一步扩大其在高阶手机市场的影响力。
⑦ 双技术破局！SiC光波导降本增效迎来新拐点
目前，8英寸SiC光学基板占光波导总成本高达86%，导致SiC方案成本约为玻璃的6倍左右；更大尺寸的12英寸衬底因价格更高，应用难度更大。当前，SiC光波导成本高企的背后，涉及晶体生长良率不足、大尺寸晶体制备难度大、加工损耗率高等多重挑战。
⑧ 罗姆：第5代SiC MOS今年投产，将采用8吋产线
9月19日，据日本媒体日经Crosstech报道，罗姆半导体董事总经理兼功率器件业务负责人伊野 和英表示，他们计划在2025年内实现最新的第五代SiC MOSFET的商业化，且从第五代开始，将采用8英寸SiC衬底进行生产。
⑨ 宁波奥拉半导体宣布与安森美达成多相电源技术交易
9月23日，宁波奥拉半导体股份有限公司（以下简称“奥拉半导体”）宣布，已与安森美（onsemi, Nasdaq: ON）签署一项多相电源（Vcore）技术授权协议，包括多相电源技术和相关知识产权（IP）许可。
⑩ 三菱电机：8英寸SiC工厂预计本月竣工
9月19日，三菱电机半导体执行官、集团总裁Masayoshi Takemi在接受日经Crosstech采访时透露，他们位于日本熊本县的8英寸SiC生产基地正在加快建设，其生产大楼预计将于2025年9月竣工，将于同年11月采用8英寸SiC衬底开始试生产，并计划于2027年开始量产。
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① https://www.dramx.com/News/cailiao-shebei/20250919-39130.html
② https://www.dramx.com/News/Memory/20250922-39132.html
③ https://www.dramx.com/News/cailiao-shebei/20250922-39134.html
④ https://www.dramx.com/News/automotive-electronics/20250922-39136.html
⑤ https://www.dramx.com/News/AI/20250922-39133.html
⑥ https://www.dramx.com/News/IC/20250923-39139.html
⑦ https://mp.weixin.qq.com/s/3h-fvFfuO3WDMELGVRjtlg
⑧ https://mp.weixin.qq.com/s/bmCo9UjYZ6-B7El_j_W8dg
⑨ https://www.dramx.com/News/igbt/20250924-39147.html
⑩ https://mp.weixin.qq.com/s/7Mhr3OO1VYlIDVYnwiuvzg
09f912c8bf26a586f7ad11fea5c630bf.pdf
